중국은 2010년대 중반 이후 '반도체 굴기'라는 국가 전략을 앞세워 반도체 자립과 세계 시장 진입을 본격적으로 추진하고 있습니다. 중국 정부는 대규모 국책펀드, 연구개발 투자, 인재 유치, 해외 M&A 등을 통해 첨단 반도체 기술 확보를 시도해왔으며, 이를 통해 메모리, 파운드리, 설계 등 다양한 분야에서 빠르게 성장해왔습니다. 그러나 동시에 미·중 기술 패권 경쟁, 미국의 수출 규제, 기술 의존성, 내수 시장 편중 등의 리스크가 지속적으로 부각되고 있습니다. 이 글에서는 중국 반도체 굴기의 배경과 전략, 주요 성과, 그리고 내재된 리스크 요인과 한계점을 종합적으로 분석합니다.
중국 반도체 굴기의 배경과 국가 전략
중국 반도체 산업의 본격적인 육성은 2015년 ‘중국제조 2025(Made in China 2025)’ 정책에서 출발했습니다. 이 정책은 반도체를 포함한 10대 핵심 산업의 자립화를 목표로 하며, 반도체는 국가 안보와 기술 주권의 핵심으로 인식되어 막대한 자금과 자원을 투입하는 산업으로 부상했습니다. 이후 2019년 미중 무역 분쟁과 기술 패권 경쟁이 심화되면서 반도체는 단순한 산업이 아닌 국가 생존 전략으로 격상되었고, 중국 정부는 반도체 육성을 위한 ‘대형 반도체 펀드(국가 집적회로산업 투자펀드, Big Fund)’를 조성해 수천억 위안 규모의 투자를 집행해왔습니다. 이러한 전략적 지원 아래 중국은 메모리, 시스템 반도체, 설계, 장비, 소재 등 전 분야에 걸쳐 투자와 육성을 진행하고 있으며, 특히 설계 분야에서는 하이실리콘(화웨이), UNISOC 등 자국 기업들이 급속히 성장하고 있습니다. 또한 SMIC(중신국제), YMTC(장쑤양츠메모리), CXMT 등 제조 기업들은 정부 지원과 내수 시장을 기반으로 반도체 생산 능력을 확대하고 있으며, 인공지능, IoT, 전장용 반도체 등 신규 수요에도 적극 대응하고 있습니다. 중국 정부는 2030년까지 반도체 자급률을 70%까지 끌어올리겠다는 목표를 세우고 있으며, 이를 위해 반도체 학과 신설, 인재 양성, 기술 특허 확보, 공정 미세화 추진, 소재 장비 국산화 등 다방면의 전략을 동시다발적으로 전개하고 있습니다.
중국 반도체 산업의 주요 성과와 성장 분야
중국의 반도체 산업은 짧은 시간 내 괄목할 만한 성과를 거두었습니다. 특히 시스템 반도체 설계 분야에서 강한 성장세를 보이고 있으며, 자국 스마트폰, 통신 장비, 가전 시장의 수요를 바탕으로 시장 영향력을 빠르게 확대하고 있습니다. 대표적인 사례는 화웨이 산하의 하이실리콘입니다. 하이실리콘은 2020년까지 ARM 아키텍처 기반의 고성능 SoC ‘기린(Kirin)’ 시리즈를 자체 개발하여 화웨이 스마트폰에 탑재했으며, 5G 모뎀 칩 ‘발롱’도 자체 생산하면서 시스템 반도체 자립의 상징으로 자리 잡았습니다. 미국의 수출 규제 이후에도 화웨이는 SMIC와 협력해 자체 7nm 공정 기반의 AP 칩 생산을 시도하고 있으며, 최근 출시한 스마트폰에 자체 칩이 적용되면서 기술 자립의 가능성을 보여주고 있습니다. 또한, NAND 플래시 메모리를 생산하는 YMTC는 128단 3D NAND까지 자체 개발에 성공했으며, 국내외 시장에서 제품 성능과 가격 경쟁력을 인정받고 있습니다. DRAM을 생산하는 CXMT도 20nm급 제품을 개발 중이며, 중국의 메모리 자립도를 점차 높이고 있습니다. 파운드리 분야에서는 SMIC가 14nm 공정 기반의 양산에 성공했으며, 7nm 수준의 제품도 제한적 생산에 들어간 상태입니다. 특히 미국의 첨단 장비 제재에도 불구하고 다층 노광(DUV) 기반의 기술로 미세공정을 지속 확대하는 모습입니다. 소재·장비 분야에서도 일부 국산화가 진전 중입니다. 중웨이, 후아홍, 내셔널 실크로드 등은 식각, 증착, 웨이퍼 가공 장비의 자체 생산을 확대하고 있으며, 반도체 화학소재와 포토레지스트 국산화율도 조금씩 증가하고 있습니다. 이러한 성과들은 중국 정부의 전략적 투자와 자국 중심 내수 시장, 인력 확보 정책 등이 복합적으로 작용한 결과로 평가됩니다.
중국 반도체 굴기의 리스크 요인과 구조적 한계
그러나 중국의 반도체 굴기에는 여전히 많은 리스크 요인이 내재되어 있으며, 이러한 한계는 중장기 성장의 불확실성으로 작용하고 있습니다.
1. 미국의 기술 수출 제한과 제재
가장 큰 리스크는 미국의 수출 규제입니다. 미국은 2020년 이후 화웨이, SMIC 등 중국 반도체 핵심 기업에 대해 기술 및 장비 수출을 금지하거나 제한해왔으며, 2023년 이후에는 일본, 네덜란드 등 우방국들과의 협력을 통해 첨단 장비(EUV, DUV, EDA 소프트웨어, AI 연산칩 등)까지 제재 범위를 확대하고 있습니다. 이로 인해 중국은 선단공정 진입에 필수적인 EUV 장비 확보가 불가능하며, 첨단 공정에서 경쟁력이 제한될 수밖에 없습니다.
2. 선단공정 기술 격차
현재 중국의 미세공정 기술은 14nm 수준이 주류이며, 제한적으로 7nm 수준까지 도달한 것으로 보이지만, 수율과 생산성, 안정성 측면에서는 TSMC, 삼성전자 등 글로벌 선도 기업과 큰 격차가 존재합니다. EUV 장비의 부재, 공정 노하우 부족, 테스트 및 패키징 기술 미비 등으로 인해 첨단 제품 생산에 구조적인 한계가 있으며, 이는 AI 칩, 모바일 AP, 서버용 CPU 등 고성능 반도체 시장 진출에 걸림돌이 되고 있습니다.
3. 인재 확보 및 기술 내재화의 어려움
반도체 산업은 장기간의 연구개발, 축적된 노하우, 숙련된 엔지니어 집단이 필수입니다. 중국은 대규모 인재 양성 프로그램을 운영하고 있지만, 경험 많은 고급 인력은 여전히 부족하며, 최근 미국과 대만, 한국 등의 인재 유출 방지 정책으로 인해 핵심 기술 확보에 어려움을 겪고 있습니다. 또한 급격한 산업 확대 과정에서 부실 투자, 비효율적 자금 집행, 기술 모방 중심의 접근 등이 비판받고 있습니다.
4. 내수 시장 중심 구조의 리스크
중국 반도체 산업은 자국 수요에 기반한 성장 전략을 추진하고 있으나, 이는 외부 시장과의 기술, 품질 경쟁력이 제한될 수 있다는 의미이기도 합니다. 국제 시장에서의 고객 확보, 브랜드 신뢰도, 글로벌 인증, 고객 맞춤형 기술 지원 등은 아직 취약한 편이며, 내수 수요만으로는 글로벌 경쟁력을 확보하기에 한계가 있습니다. 또한 국산화율을 무리하게 높이려는 정책은 오히려 품질 저하나 과잉투자로 이어질 수 있다는 우려도 존재합니다. 결론적으로 중국의 반도체 굴기는 단기적으로는 의미 있는 성과를 창출했지만, 첨단 기술, 인력, 글로벌 생태계 측면에서는 여전히 해결해야 할 과제가 많습니다. 미국을 비롯한 선진국과의 기술 격차, 정치적 제재 리스크, 내재적 산업 역량 부족 등을 극복하기 위해서는 단기 성과 중심의 정책을 넘어 장기적 기술 내재화 전략과 국제 협력 네트워크 구축이 병행되어야 할 것입니다.